[GSAT]
11¹ø ¹®Á¦°¡ Á¶±Ý ±î´Ù·Î¿ü½À´Ï´Ù.
¾Æ¹«·¡µµ µÎ °³ÀÇ º¯¼ö¸¦ ¼³Á¤ÇÏ´Â ¹®Á¦°¡ ³¸¼³¾ú±â ¶§¹®ÀÎ °Í °°½À´Ï´Ù. º¯¼ö°¡ Ç×»ó ÇÑ°³ÀÎ °Í¸¸ º¸¾Ò´õ´Ï, ¿°µÎÇØ µÎ°í ÀÖÁö ¾Ê¾Ò´ø °Í °°½À´Ï´Ù. µÎ °³ÀÇ º¯¼ö¸¦ °®°í ¼û°ÜÁø ¹üÀ§ Á¶°ÇÀ» µµÃâÇÏ¿© ÃÖ¼Ò°ªÀ» ã´Â´Ù´Â °úÁ¤ÀÌ ´Ù¼Ò º¹ÀâÇÏ¿´À¸³ª, ¹®Á¦°¡ »õ·Î¿ö¼ Àç¹ÌÀÖ°Ô Ç®¾ú½À´Ï´Ù.
13¹ø ¹®Á¦ÀÇ °æ¿ì Âü°ÅÁþÀ» °¡¸®´Â ¹®Á¦Àε¥, ¹®Á¦ Á¢±ÙÀ» xx´Â Âü/°ÅÁþÀ» ¸»ÇÏ°í ÀÖ¾î ¸ÕÀú Á¢±ÙÇÏ¿© Âü, °ÅÁþÀ» °¡Á¤ÇÏ´Â °ÍÀÌ ¸ðµç ÀÌ·¯ÇÑ À¯Çü ¹®Á¦ÀÇ Ã¹°ÉÀ½À¸·Î Åë¿ëµÇ´Â °Í °°½À´Ï´Ù.
[¹ÝµµÃ¼]
¿À´ÃÀº ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¿¡ ´ëÇØ ¹è¿ü½À´Ï´Ù.
(1) Flash memory
±¸Á¶: MOSFETÀÇ ±¸Á¶¿Í Àü¹ÝÀûÀ¸·Î ºñ½ÁÇϳª, gateÀÇ SiO2 À§¿¡ »õ·Î floating gate/charge trap°ú ¶Ç´Ù¸¥ SiO2 ÃþÀÌ »ðÀԵǾî ÀÖ´Â ±¸Á¶ÀÔ´Ï´Ù.
°ú°Å floating gateÀÇ flash memory´Â metal ¼ÒÀç·Î µÇ¾î ÀÖ¾î ¿ÜºÎ ÀÚ±âÀå¿¡ ÀÇÇØ charge ¼Õ½ÇÀÌ ¹ß»ýÇßÀ¸³ª, ¹ßÀüµÈ ÇüÅÂÀÎ charge trap layerÀÇ °æ¿ì SiN°ú °°Àº ºÎµµÃ¼¸¦ »ç¿ëÇÏ¿© ¿ÜºÎ ÀÚ±âÀå¿¡ ´ëÇÑ ¾ÈÁ¤¼ºÀÌ È®º¸µÇ¾ú½À´Ï´Ù.
µ¿ÀÛ:
- write: control gate¿¡ °í¾ÐÀÇ ¾çÀü¾Ð Àΰ¡ÇÏ¿© charge trap layer¿¡ ÀüÇϸ¦ ÃàÀûÇÕ´Ï´Ù.
- read: MOSFET ¼ÒÀÚÀÇ threshold voltage¸¦ È®ÀÎÇÕ´Ï´Ù. charge°¡ trapµÇ¾îÀÖÀ¸¸é Vth°¡ Áõ°¡ÇÕ´Ï´Ù.
- erase: control gate¿¡ °í¾ÐÀÇ À½Àü¾ÐÀ» Àΰ¡ÇÕ´Ï´Ù.
NAND flash ¹ßÀü:
floating gate - charge trap layer
SLC(single, 1bit) - MLC(multi, 2bits) - TLC(triple, 3bits) - QTL(quadraple, 4bits)
ÁýÀûµµ´Â Áõ°¡ÇÏ¿´À¸³ª, date Æø °¨¼Ò¿¡ µû¸¥ ½Å·Ú¼º °¨¼Ò, ÇÊ¿ä Àü¾Ð Áõ°¡¿¡ µû¸¥ ¼ö¸í °¨¼Ò¶ó´Â ´ÜÁ¡ÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
3D NAND: ÁýÀûµµ°¡ Áõ°¡ÇÏ¿© °¡°Ý °æÀï·ÂÀÌ Çâ»óµÇ¾úÀ¸³ª, ¾ÆÀÌ·¯´ÏÇÏ°Ôµµ °øÁ¤ º¹Àâµµ°¡ Áõ°¡ÇÏ¿© ¼öÀ² Ç϶ô¿¡ µû¸¥ °¡°Ý °æÀï·Â °¨¼Ò È¿°ú ¶ÇÇÑ Á¸ÀçÇÕ´Ï´Ù.
(2) DRAM
±¸Á¶: MOSFET ¼ÒÀÚ gate°¡ word line¿¡ ¿¬°áµÇ¾î ÀÖ°í, ¾ç ´ÜÀÇ Source(Drain)°¡ °¢°¢ bit line°ú capacitor¿¡ ¿¬°áµÇ¾î ÀÖ½À´Ï´Ù.
µ¿ÀÛ: write, read, erase ½Ã ¸ðµÎ WL°¡ highÀÔ´Ï´Ù.
- write ½Ã BL °ªÀ» 1·Î ÇÏ¿© capÀ» chargeÇÕ´Ï´Ù.
- read: BL°ªÀº 1/2(ÃʱⰪ) ±×´ë·ÎÀÌÁö¸¸, WLÀÌ high°¡ µÊ¿¡ µû¶ó capÀÇ °ªÀ» Àоî BL·Î Àоî¿É´Ï´Ù.
- erase: BL¿¡ low °ªÀ» ÀÔ·ÂÇÏ¿© capÀ» dischargeÇÕ´Ï´Ù.
<Â÷¼¼´ë RAM>
(3) PcRAM: Àü·ù¿¡ ÀÇÇÑ phase tranformationÀ» ÀÌ¿ëÇÕ´Ï´Ù.
amorphous·Î ³ôÀº ÀúÇ×, crystallineÀ¸·Î ³·Àº ÀúÇ×À» ¸¸µé¾î 0, 1À» ±¸ÇöÇÕ´Ï´Ù.
¹ß¿ À̽´°¡ Á¸ÀçÇÕ´Ï´Ù.
(4) STT-MRAM: ÀÚ±âÀå°ú ÀüÀÚÀÇ spin ¹æÇâÀ» ÀÌ¿ëÇÕ´Ï´Ù.
½ºÇÉ ¹æÇâ µ¿ÀÏÇϸé electronsÀÌ Åë°úÇÏ°í, ´Ù¸£¸é Åë°ú ¸øÇØ °¢°¢ ³·Àº ÀúÇ×°ú ³ôÀº ÀúÇ×À» ±¸ÇöÇÕ´Ï´Ù.
(5) RRAM: ºÎµµÃ¼ÀÇ defect¸¦ ÀÌ¿ëÇÕ´Ï´Ù.
Àü¾ÐÀ» °É¾îÁÖ¸é defect°¡ ÇÑÂÊÀ¸·Î À̵¿ÇÏ¸ç ¾ç Àü±ØÀ» ÀÕ´Â ´Ù¸®¸¦ Çü¼ºÇÕ´Ï´Ù. À̸¦ ÅëÇØ ÀúÇ×À» º¯ÈÇÕ´Ï´Ù.
¿À´Ã ½ºÅ͵𸦠ÇÏ¸é¼ ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼¿¡ ´ëÇØ ¸¹ÀÌ ¹è¿ü½À´Ï´Ù. Àü¹ÝÀûÀ¸·Î ¾î·ÆÁø ¾Ê¾ÒÁö¸¸, DRAMÀÇ sense amplifier¸¦ Á¦´ë·Î ÀÌÇØÇÏÁö ¸øÇØ ¾Æ½¬¿ü½À´Ï´Ù. ±âÁ¸ÀÇ Áö½Ä SRAM sense amplifier¿Í °³³ä È¥µ¿ÀÌ »ý°Ü ±×·± °Í °°½À´Ï´Ù. °ÀǸ¦ ´Ù½Ã µéÀ¸¸ç ÀÌÇØÇØ¾ß °Ú½À´Ï´Ù.
ÀÌÁÖ µ¿¾È ³ª¸§´ë·Î ¿½ÉÈ÷ ½ºÅ͵𸦠ÇØ¿Ô½À´Ï´Ù. gsat¸¦ È¿À²ÀûÀ¸·Î Ǫ´Â ¹æ¹ý°ú ¹ÝµµÃ¼ À̷п¡ ´ëÇØ ¸¹Àº °ÍÀ» ¹è¿ü½À´Ï´Ù. ÇϹݱ⠼º°øÀûÀÎ Ãë¾÷ »Ç°³±â¸¦ À§ÇØ ¾ÕÀ¸·Îµµ ¿½ÉÈ÷ ÇÏ°Ú½À´Ï´Ù!