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[9일차] 해커스잡 GSAT + 반도체 2주 완성 스터디로 삼성전자 취업 준비합니다!

| 조회 4588 |

[GSAT]

추리 영역에 있어서 논리추론 문제는 빠르게 풀기 쉬운 것 같습니다. 밴 다이어그램을 그리면 빨리 풀 수 있습니다.

그리고 전제나 결론 명제가 부정 주어에 부정 술어일 경우, 대우를 이용해 긍정-긍정으로 만드는게 웬만한 경우에서 거의 대부분 문제풀이의 핵심이 되는 것 같습니다.

조건추리는 항상 시간의 압박감을 많이 끼치는 파트이므로, 문제를 읽자 마자 접근 방식을 바로 생각해놓아야 할 듯 합니다. 5번 문제가 경우의 수를 만드는 데 까다로웠습니다.

은하와 연주가 같은 팀 소속인 것을 이용해 기술팀임을 도출해내는 것이 풀이의 시작이라고 볼 수 있는데, 그것이 실전에서는 바로 생각 나지 않았습니다. 보기에 주어진 조건 외에도 문제의 조건을 잘 확인하는 버릇을 들여야 겠다는 다짐을 했습니다.




[반도체]

Etching 공정, Plasma에 관해 배웠습니다.

Etching은 불필요한 부분을 제거하는 식각 공정을 뜻합니다.

Etching의 주요 인자로,

- Etch rate(식각률) = etching두께/etching시간 : etching 속도

- Selectivity(선택비) = tatget물질의 etching 두께/기타 물질의 etching 두께 : target 물질만 etching할수록 좋은 특성이기에, 클 수록 좋습니다.

- Uniformity(균일도) = (최대식각률-최소식각률)/(최대식각률+최소식각률) : 0에 가까울수록 좋은 특성입니다.

+) Anisotropy = 1 - 수평etching속도/수직etching속도 : 1에 가까울 수록좋고, 0에 가까울수록 나쁩니다. 수평 etching은 적게 일어날 수록 좋습니다.

Etching 공정은 wet etching과 dry etching으로 나뉩니다.

(1) Wet etching

화학적 방법으로 식각합니다.

장점: 낮은 비용과 빠른 속도, 높은 selectivity

단점: 미세 pattern 불가, 오염 가능. isotropy(등방성: 모든 방향으로 etching) <- 표면 장력에 의한 것입니다. 마찬가지로 표면 장력에 의해 좁은 pattern은 etching 불가합니다.

(2) Dry etching

화학적 + 물리적 방법으로 식각합니다.

장점: Anisotropy, 미세 pattern 가능

단점: 높은 비용, 느린 속도, 낮은 selectivity

Dry etching에는 sputtering, plasma etching, RIE 방식이 존재합니다.

- Sputtering: energy를 가진 Ion으로 target의 surface를 파괴합니다.

어떤 물질도 etching 가능하나, selectivity가 낮습니다.

- Plasma etching: 반응성을 가진 etchant를 plasma화하여 반응성을 향상시킵니다. wet etching과 동일한 특성을 가집니다.

- RIE(Reactive Ion Etching): Plasma etching처럼 반응성을 가진 etchant를 plasma화하여 반응성을 향상시키고, 이를 sputtering하는 방법으로, 위 두 방법의 장점을 모두 가졌습니다.

anisotropy etching, 공정 미세화가 가능해지고, 빠른 etching rate와 높은 selectivity를 가집니다.

Plasma는 기체 상태의 분자가 이온화하여, 이온과 전자에 의해 전도체 성질을 갖는 물질입니다.

전압을 가해 플라즈마를 발생시킵니다.

- Glow discharged plasma

전극판 양쪽에 전압을 걸어 전계를 형성합니다. 전계 내에서 가속하는 전자가 아르곤과 충돌하여 아르곤 이온과 전자로 만들고(알파 프로세스), 아르곤 이온이 전극판에 충돌하여 전자를 내보냅니다.(감마 프로세스)

플라즈마가 형성되어 빛나는 부분을 glow라고 하고, 전극판 쪽의 플라즈마가 없는 부분을 sheath라고 합니다.

+) 파셴곡선: plasma 발생 전압을 나타냅니다. x축: p*d(p:기체 압력, d:전극 사이 거리), y축: V

+) DC discharge와 AC discharge가 있는데, AC discharge는 전기장의 변화 시간이 이온이 전극 사이를 이동하는 시간보다 작습니다. 그래서 이온은 한쪽 전극에서 머무르며 진동하여 이온과 전자 손실이감소하게되고, 결국 높은 밀도의 plasma 형성이 가능합니다.

조건 추리는 보통 풀이를 보면 한번에 이해가 가능했는데, 오늘 본 문제는 까다로워서 이해하기 어려웠습니다. 주어진 조건을 모두 활용한다는 것을 항상 염두해 두고 접근해야겠습니다.

반도체 강의에서 etching은 많이 들어봤는데, plasma 형성은 새로웠습니다. 몰랐던 개념이지만 강의 덕분에 쉽게 이해할 수 있던 것 같습니다.

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