[GSAT]
Ã߸® ¿µ¿ª¿¡ ÀÖ¾î¼ ³í¸®Ãß·Ð ¹®Á¦´Â ºü¸£°Ô Ç®±â ½¬¿î °Í °°½À´Ï´Ù. ¹ê ´ÙÀ̾î±×·¥À» ±×¸®¸é »¡¸® Ç® ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
±×¸®°í ÀüÁ¦³ª °á·Ð ¸íÁ¦°¡ ºÎÁ¤ Á־ ºÎÁ¤ ¼ú¾îÀÏ °æ¿ì, ´ë¿ì¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ±àÁ¤-±àÁ¤À¸·Î ¸¸µå´Â°Ô À¢¸¸ÇÑ °æ¿ì¿¡¼ °ÅÀÇ ´ëºÎºÐ ¹®Á¦Ç®ÀÌÀÇ ÇÙ½ÉÀÌ µÇ´Â °Í °°½À´Ï´Ù.
Á¶°ÇÃ߸®´Â Ç×»ó ½Ã°£ÀÇ ¾Ð¹Ú°¨À» ¸¹ÀÌ ³¢Ä¡´Â ÆÄÆ®À̹ǷÎ, ¹®Á¦¸¦ ÀÐÀÚ ¸¶ÀÚ Á¢±Ù ¹æ½ÄÀ» ¹Ù·Î »ý°¢Çسõ¾Æ¾ß ÇÒ µí ÇÕ´Ï´Ù. 5¹ø ¹®Á¦°¡ °æ¿ìÀÇ ¼ö¸¦ ¸¸µå´Â µ¥ ±î´Ù·Î¿ü½À´Ï´Ù.
ÀºÇÏ¿Í ¿¬ÁÖ°¡ °°Àº ÆÀ ¼Ò¼ÓÀÎ °ÍÀ» ÀÌ¿ëÇØ ±â¼úÆÀÀÓÀ» µµÃâÇس»´Â °ÍÀÌ Ç®ÀÌÀÇ ½ÃÀÛÀ̶ó°í º¼ ¼ö Àִµ¥, ±×°ÍÀÌ ½ÇÀü¿¡¼´Â ¹Ù·Î »ý°¢ ³ªÁö ¾Ê¾Ò½À´Ï´Ù. º¸±â¿¡ ÁÖ¾îÁø Á¶°Ç ¿Ü¿¡µµ ¹®Á¦ÀÇ Á¶°ÇÀ» Àß È®ÀÎÇÏ´Â ¹ö¸©À» µé¿©¾ß °Ú´Ù´Â ´ÙÁüÀ» Çß½À´Ï´Ù.
[¹ÝµµÃ¼]
Etching °øÁ¤, Plasma¿¡ °üÇØ ¹è¿ü½À´Ï´Ù.
EtchingÀº ºÒÇÊ¿äÇÑ ºÎºÐÀ» Á¦°ÅÇÏ´Â ½Ä°¢ °øÁ¤À» ¶æÇÕ´Ï´Ù.
EtchingÀÇ ÁÖ¿ä ÀÎÀÚ·Î,
- Etch rate(½Ä°¢·ü) = etchingµÎ²²/etching½Ã°£ : etching ¼Óµµ
- Selectivity(¼±Åúñ) = tatget¹°ÁúÀÇ etching µÎ²²/±âŸ ¹°ÁúÀÇ etching µÎ²² : target ¹°Áú¸¸ etchingÇÒ¼ö·Ï ÁÁÀº Ư¼ºÀ̱⿡, Ŭ ¼ö·Ï ÁÁ½À´Ï´Ù.
- Uniformity(±ÕÀϵµ) = (ÃÖ´ë½Ä°¢·ü-Ãּҽİ¢·ü)/(ÃÖ´ë½Ä°¢·ü+Ãּҽİ¢·ü) : 0¿¡ °¡±î¿ï¼ö·Ï ÁÁÀº Ư¼ºÀÔ´Ï´Ù.
+) Anisotropy = 1 - ¼öÆòetching¼Óµµ/¼öÁ÷etching¼Óµµ : 1¿¡ °¡±î¿ï ¼ö·ÏÁÁ°í, 0¿¡ °¡±î¿ï¼ö·Ï ³ª»Þ´Ï´Ù. ¼öÆò etchingÀº Àû°Ô ÀϾ ¼ö·Ï ÁÁ½À´Ï´Ù.
Etching °øÁ¤Àº wet etching°ú dry etchingÀ¸·Î ³ª´¹´Ï´Ù.
(1) Wet etching
ÈÇÐÀû ¹æ¹ýÀ¸·Î ½Ä°¢ÇÕ´Ï´Ù.
ÀåÁ¡: ³·Àº ºñ¿ë°ú ºü¸¥ ¼Óµµ, ³ôÀº selectivity
´ÜÁ¡: ¹Ì¼¼ pattern ºÒ°¡, ¿À¿° °¡´É. isotropy(µî¹æ¼º: ¸ðµç ¹æÇâÀ¸·Î etching) <- Ç¥¸é Àå·Â¿¡ ÀÇÇÑ °ÍÀÔ´Ï´Ù. ¸¶Âù°¡Áö·Î Ç¥¸é Àå·Â¿¡ ÀÇÇØ Á¼Àº patternÀº etching ºÒ°¡ÇÕ´Ï´Ù.
(2) Dry etching
ÈÇÐÀû + ¹°¸®Àû ¹æ¹ýÀ¸·Î ½Ä°¢ÇÕ´Ï´Ù.
ÀåÁ¡: Anisotropy, ¹Ì¼¼ pattern °¡´É
´ÜÁ¡: ³ôÀº ºñ¿ë, ´À¸° ¼Óµµ, ³·Àº selectivity
Dry etching¿¡´Â sputtering, plasma etching, RIE ¹æ½ÄÀÌ Á¸ÀçÇÕ´Ï´Ù.
- Sputtering: energy¸¦ °¡Áø IonÀ¸·Î targetÀÇ surface¸¦ Æı«ÇÕ´Ï´Ù.
¾î¶² ¹°Áúµµ etching °¡´ÉÇϳª, selectivity°¡ ³·½À´Ï´Ù.
- Plasma etching: ¹ÝÀÀ¼ºÀ» °¡Áø etchant¸¦ plasmaÈÇÏ¿© ¹ÝÀÀ¼ºÀ» Çâ»ó½Ãŵ´Ï´Ù. wet etching°ú µ¿ÀÏÇÑ Æ¯¼ºÀ» °¡Áý´Ï´Ù.
- RIE(Reactive Ion Etching): Plasma etchingó·³ ¹ÝÀÀ¼ºÀ» °¡Áø etchant¸¦ plasmaÈÇÏ¿© ¹ÝÀÀ¼ºÀ» Çâ»ó½ÃÅ°°í, À̸¦ sputteringÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ¸·Î, À§ µÎ ¹æ¹ýÀÇ ÀåÁ¡À» ¸ðµÎ °¡Á³½À´Ï´Ù.
anisotropy etching, °øÁ¤ ¹Ì¼¼È°¡ °¡´ÉÇØÁö°í, ºü¸¥ etching rate¿Í ³ôÀº selectivity¸¦ °¡Áý´Ï´Ù.
Plasma´Â ±âü »óÅÂÀÇ ºÐÀÚ°¡ ÀÌ¿ÂÈÇÏ¿©, À̿°ú ÀüÀÚ¿¡ ÀÇÇØ ÀüµµÃ¼ ¼ºÁúÀ» °®´Â ¹°ÁúÀÔ´Ï´Ù.
Àü¾ÐÀ» °¡ÇØ ÇöóÁ¸¦ ¹ß»ý½Ãŵ´Ï´Ù.
- Glow discharged plasma
Àü±ØÆÇ ¾çÂÊ¿¡ Àü¾ÐÀ» °É¾î Àü°è¸¦ Çü¼ºÇÕ´Ï´Ù. Àü°è ³»¿¡¼ °¡¼ÓÇÏ´Â ÀüÀÚ°¡ ¾Æ¸£°ï°ú Ãæµ¹ÇÏ¿© ¾Æ¸£°ï À̿°ú ÀüÀÚ·Î ¸¸µé°í(¾ËÆÄ ÇÁ·Î¼¼½º), ¾Æ¸£°ï ÀÌ¿ÂÀÌ Àü±ØÆÇ¿¡ Ãæµ¹ÇÏ¿© ÀüÀÚ¸¦ ³»º¸³À´Ï´Ù.(°¨¸¶ ÇÁ·Î¼¼½º)
ÇöóÁ°¡ Çü¼ºµÇ¾î ºû³ª´Â ºÎºÐÀ» glow¶ó°í ÇÏ°í, Àü±ØÆÇ ÂÊÀÇ ÇöóÁ°¡ ¾ø´Â ºÎºÐÀ» sheath¶ó°í ÇÕ´Ï´Ù.
+) Æļϰ: plasma ¹ß»ý Àü¾ÐÀ» ³ªÅ¸³À´Ï´Ù. xÃà: p*d(p:±âü ¾Ð·Â, d:Àü±Ø »çÀÌ °Å¸®), yÃà: V
+) DC discharge¿Í AC discharge°¡ Àִµ¥, AC discharge´Â Àü±âÀåÀÇ º¯È ½Ã°£ÀÌ ÀÌ¿ÂÀÌ Àü±Ø »çÀ̸¦ À̵¿ÇÏ´Â ½Ã°£º¸´Ù ÀÛ½À´Ï´Ù. ±×·¡¼ ÀÌ¿ÂÀº ÇÑÂÊ Àü±Ø¿¡¼ ¸Ó¹«¸£¸ç Áøµ¿ÇÏ¿© À̿°ú ÀüÀÚ ¼Õ½ÇÀÌ°¨¼ÒÇϰԵǰí, °á±¹ ³ôÀº ¹ÐµµÀÇ plasma Çü¼ºÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
Á¶°Ç Ã߸®´Â º¸Åë Ç®À̸¦ º¸¸é Çѹø¿¡ ÀÌÇØ°¡ °¡´ÉÇߴµ¥, ¿À´Ã º» ¹®Á¦´Â ±î´Ù·Î¿ö¼ ÀÌÇØÇϱ⠾î·Á¿ü½À´Ï´Ù. ÁÖ¾îÁø Á¶°ÇÀ» ¸ðµÎ È°¿ëÇÑ´Ù´Â °ÍÀ» Ç×»ó ¿°µÎÇØ µÎ°í Á¢±ÙÇؾ߰ڽÀ´Ï´Ù.
¹ÝµµÃ¼ °ÀÇ¿¡¼ etchingÀº ¸¹ÀÌ µé¾îºÃ´Âµ¥, plasma Çü¼ºÀº »õ·Î¿ü½À´Ï´Ù. ¸ô¶ú´ø °³³äÀÌÁö¸¸ °ÀÇ ´öºÐ¿¡ ½±°Ô ÀÌÇØÇÒ ¼ö ÀÖ´ø °Í °°½À´Ï´Ù.