[GSAT]
15¹ø ¹®Á¦ÀÇ c¹ø ¼±ÁöÀÇ °æ¿ì, 113 °ª¿¡ 410À» °öÇØ ºñ±³ÇØ¾ß Çß½À´Ï´Ù. ±î´Ù·Î¿î °è»êÀ̱ä ÇÏÁö¸¸, °ÀÇ¿¡¼¿Í °°ÀÌ 113 = 110 + 3 À¸·Î ³ª´²¼ °è»êÇÏ´Ï Á¶±Ý ´õ ¼ö¿ùÇß½À´Ï´Ù. 11´Ü °ö¼ÀÀÌ Æí¸®ÇÑ °Í °°½À´Ï´Ù.
18¹ø ¹®Á¦ÀÇ °æ¿ì, ¼±ÁöÀÇ °è»ê ¹æ½ÄÀÌ º¹ÀâÇÑ ÆíÀº ¾Æ´Ï¾ú½À´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸ ÀÚ·áÀÇ Ç׸ñÀÌ ³Ê¹« ¸¹¾Æ¼ ½Ç¼öÇÒ ¿©Áö°¡ ÀûÁö ¾Ê°í ÀÚ·á ã´Â µ¥ ½Ã°£À» ¸¹ÀÌ ¼Ò¿äÇϱ⠶§¹®¿¡ ½ÇÀü¿¡¼´Â ÈļøÀ§·Î Ç®¾î¾ß°Ú´Ù´Â »ý°¢ÀÌ µé¾ú½À´Ï´Ù.
20¹ø ¹®Á¦´Â ½ÇÀü¿¡¼ ½Ã°£ÀÌ ¸¹ÀÌ ¼Ò¿äµÇ¾ú½À´Ï´Ù. ±ÔÄ¢ ã´Â °úÁ¤ÀÌ ¿À·¡ °É¸®Áö´Â ¾Ê¾Ò½À´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸ °èÂ÷ ¼ö¿ °ø½ÄÀ» Àû¿ëÇÏÁö ¾Ê¾Æ ÀÏÀÏÈ÷ ÀÚ·á ÇϳªÇϳª °è»ê°ªÀ» µµÃâÇÏ´Â µ¥ ½Ã°£À» ¸¹ÀÌ ³¶ºñÇß½À´Ï´Ù. °èÂ÷ ¼ö¿ÀÓÀ» ÀÎÁöÇÏ°í °èÂ÷ ¼ö¿ °ø½ÄÀ» Àû±ØÀûÀ¸·Î »ç¿ëÇؾ߰ڽÀ´Ï´Ù.
[¹ÝµµÃ¼]
Deposition °øÁ¤ÀÇ ¼¼ºÎ ³»¿ëÀ» ¹è¿ü½À´Ï´Ù.
Deposition °øÁ¤Àº ¿øÇϴ Ư¼ºÀÇ thin filmÀ» Çü¼ºÇÏ´Â °øÁ¤ÀÔ´Ï´Ù. ÀÌ ¶§ Ư¼ºÀ¸·Î´Â ÈÇÐÀû, Àü±âÀû, ±â°èÀû Ư¼ºÀÌ Á¸ÀçÇÕ´Ï´Ù.
Deposition °øÁ¤Àº Etching ¿ëÀ̼º, wafer¿ÍÀÇ Á¢Âø¼º, ÈÇÐÀû ¾ÈÁ¤¼ºÀ» ¿ä±¸ÇÕ´Ï´Ù.
step coverage: ´ÜÂ÷¿¡¼ ÀÏÁ¤ÇÑ µÎ²²¸¦ À¯ÁöÇÏ´ÂÁöÀÇ ¿©ºÎ·Î, ±ÕÀÏÈÀÇ Á¤µµ¸¦ ÀǹÌÇÕ´Ï´Ù. topÀÇ µÎ²²¸¦ ±âÁØÀ¸·Î(ºÐ¸ð) ÇÏ¿© ºñ±³ÇÏ°íÀÚ ÇÏ´Â µÎ²²¸¦ ºñ±³ÇÕ´Ï´Ù(ºÐÀÚ).
aspect ratio: ȨÀÇ Æø(w) ºÐÀÇ ³ôÀÌ(h)
mean free path¿Í step coverage¿ÍÀÇ °ü°è
ÀúÁø°ø(°í¾Ð·Â): mean free path°¡ chamberº¸´Ù ¸Å¿ì ª¾Æ ºÒ±ÕÀÏÇÑ step coverage¸¦ °¡Áý´Ï´Ù. °íÁø°ø »óÅ°¡ µÉ¼ö·Ï ±ÕÀÏÇÑ step coverage¸¦ °¡Áý´Ï´Ù.
Deposition °øÁ¤Àº PVD¿Í CVD·Î ±¸ºÐµË´Ï´Ù.
1. PVD(Physical Vapor Deposition)
´Ü¼øÇÑ °øÁ¤ÀÌ°í, ´Ù¾çÇÑ ¹°ÁúÀ» ÀÌ¿ë°¡´ÉÇÏÁö¸¸, step coverage°¡ ³·´Ù´Â ´ÜÁ¡ÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
PVD °øÁ¤Àº ¶Ç Thermal°ú Sputtering ¹æ½ÄÀ¸·Î ³ª´¹´Ï´Ù.
(1) Thermal evaporation (high vacumm °øÁ¤)
´ÜÁ¡: ³·Àº Á¢Âø¼º, ³ôÀº ¿À¿°µµ, ³·Àº °øÁ¤ ÀçÇö¼º, ´À¸° ¼Óµµ
(°¡¿ ¹æ½Ä)
resistivity heat boat ¹æ½Ä: boat(±×¸©)ÀÌ ºÒ¼ø¹°·Î ÀÛ¿ëÇÒ ¼ö ÀÖÀ½
electron beam ÀÌ¿ë ¹æ½Ä: ±âÆÇÀÌ ¼Õ»óµÉ ¼ö ÀÖÀ½
Inductivity heating ¹æ½Ä: ºÎµµÃ¼´Â ºÒ°¡´É
(2) Sputtering (pure physical °øÁ¤)
ÀåÁ¡: ¾î¶² ¹°Áúµµ °¡´É, ±ÕÀÏÇÑ thin film, µÎ²² Á¶Àý ¹× Ư¼º Á¦¾î ¿ëÀÌ
´ÜÁ¡: wafer ¼Õ»ó °¡´É
(Á¾·ù)
DC sputtering, RF sputtering
2. CVD(Chemical Vapor Deposition)
°úÁ¤: Precursors(¹ÝÀÀ¼º ±âü)¸¦ wafer Ç¥¸é¿¡ flow - wafer Ç¥¸é ÈíÂø - ¿, plasma·Î chemical reaction - ÁõÂø
ÀåÁ¡: thermal ´ëºñ Àú¿Â, ÁÁÀº step coverage, µÎ²² Á¶Àý ¿ëÀÌ, ´Ù¾çÇÑ gas »ç¿ëÇÏ¿© ´Ù¾çÇÑ Æ¯¼ºÀÇ ¹Ú¸· Çü¼º °¡´É
´ÜÁ¡: ¸¹Àº ¹ÝÀÀ º¯¼ö, À¯ÇØ gas »ç¿ë, º¹ÀâÇÑ ÀåÄ¡ »ç¿ë, ÁõÂø°¡´É ¹°ÁúÀÌ Á¦ÇÑÀû
[CVD ºÐ·ù]
(1) APCVD(Atmospheric Pressure CVD)
ÁõÂø °úÁ¤Àº ÇÙÀ» Áß½ÉÀ¸·Î growth
»ó¾Ð Àú¿Â
ÀåÁ¡: °£´ÜÇÑ Àåºñ, ºü¸¥ ¼Óµµ
´ÜÁ¡: ³ª»Û step coverage
(2) LPCVD(Low Pressure CVD)
ÁõÂø °úÁ¤Àº ÇÙÀ» Áß½ÉÀ¸·Î growth
Àú¾Ð °í¿Â
ÀåÁ¡: °í¼øµµ ¹Ú¸·, ³ôÀº ±ÕÀϵµ, ÁÁÀº step coverage
´ÜÁ¡: ´À¸° ¼Óµµ
(3) PECVD(Plasma Enhanced CVD)
¹ÝÀÀ¼ºÀÌ ³ôÀº plasma¸¦ »ç¿ëÇÏ¿© Àú¿Â¿¡¼ reaction ¼Óµµ Áõ°¡.
+) ¿øÀÚ ÇϳªÀÇ deposition ¼Óµµ´Â LPCVD>PECVD>APCVD
+) step coverage Ư¼º LPCVD>PECVD>APCVD
(4) HDPCVD(High Density Plasma CVD)
PECVD¿¡ ºñÇØ ³ôÀº Plasma ¹Ðµµ
Deposition°ú SputteringÀ» °°ÀÌ ½ÃÇà
ÀåÁ¡: PECVDº¸´Ù Àú¿Â, ¸Å¿ì ³ôÀº quality, void°¡ ¾øÀ½, ÁÁÀº step coverage
´ÜÁ¡: ´À¸° ¼Óµµ
(5) ALD(Atomic Layer Deposition)
¿øÀÚ¸¦ 1Ãþ¾¿ ½×¾Æ ÁõÂø
ÀûÁ¤ ¿Âµµ À¯Áö ÇÊ¿ä(°í¿ÂÀ̸é precursors°¡ ¿ ºÐÇØ ¹× Å»Âø Çö»óÀ» º¸ÀÌ°í, Àú¿ÂÀ̸é ÀÀ°á ¹× ³·Àº ¹ÝÀÀ¼º)
ÀåÁ¡: ¸Å¿ì Á¤±³ÇÏ°í, ¾ã°í, ³ôÀº qualityÀÇ ¹Ú¸·, 100% step coverage
´ÜÁ¡: ¸Å¿ì ´À¸², Á¦ÇÑÀûÀÎ precursors
GSAT ¹®Á¦ Áß ÀÚ·áÇؼ® 20¹ø¿¡¼ °èÂ÷¼ö¿ÀÌ ÀÚÁÖ ³ª¿À´Â °Í °°½À´Ï´Ù. ÇϳªÇϳª °è»êÇÏ´Â °ÍÀº ½Ã°£ÀÌ ³Ê¹« ¸¹ÀÌ °É·Á, °ø½ÄÀ» »¡¸® Àû¿ëÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï üÈÇÏ´Â °ÍÀÌ ÇÊ¿äÇÑ °Í °°½À´Ï´Ù.
¹ÝµµÃ¼ÀÇ Deposition¿¡ ´Ù¾çÇÑ ¹æ¹ýÀÌ ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ¾Ë°Ô µÇ¾ú½À´Ï´Ù. ´ëºÎºÐ óÀ½ º¸´Â ¹æ¹ýÀÎ ¸¸Å ³¸¼³¾ú±â ¶§¹®¿¡, ÁÖ±âÀûÀÎ º¹½ÀÀ» ÅëÇØ ¿Ü¿ï °ÍÀÔ´Ï´Ù.