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[8일차] 해커스잡 GSAT + 반도체 2주 완성 스터디로 삼성전자 취업 준비합니다!

| 조회 3927 |

[GSAT]

15번 문제의 c번 선지의 경우, 113 값에 410을 곱해 비교해야 했습니다. 까다로운 계산이긴 하지만, 강의에서와 같이 113 = 110 + 3 으로 나눠서 계산하니 조금 더 수월했습니다. 11단 곱셈이 편리한 것 같습니다.

18번 문제의 경우, 선지의 계산 방식이 복잡한 편은 아니었습니다. 하지만 자료의 항목이 너무 많아서 실수할 여지가 적지 않고 자료 찾는 데 시간을 많이 소요하기 때문에 실전에서는 후순위로 풀어야겠다는 생각이 들었습니다.

20번 문제는 실전에서 시간이 많이 소요되었습니다. 규칙 찾는 과정이 오래 걸리지는 않았습니다. 하지만 계차 수열 공식을 적용하지 않아 일일히 자료 하나하나 계산값을 도출하는 데 시간을 많이 낭비했습니다. 계차 수열임을 인지하고 계차 수열 공식을 적극적으로 사용해야겠습니다.



[반도체]

Deposition 공정의 세부 내용을 배웠습니다.

Deposition 공정은 원하는 특성의 thin film을 형성하는 공정입니다. 이 때 특성으로는 화학적, 전기적, 기계적 특성이 존재합니다.

Deposition 공정은 Etching 용이성, wafer와의 접착성, 화학적 안정성을 요구합니다.

step coverage: 단차에서 일정한 두께를 유지하는지의 여부로, 균일화의 정도를 의미합니다. top의 두께를 기준으로(분모) 하여 비교하고자 하는 두께를 비교합니다(분자).

aspect ratio: 홈의 폭(w) 분의 높이(h)

mean free path와 step coverage와의 관계

저진공(고압력): mean free path가 chamber보다 매우 짧아 불균일한 step coverage를 가집니다. 고진공 상태가 될수록 균일한 step coverage를 가집니다.

Deposition 공정은 PVD와 CVD로 구분됩니다.

1. PVD(Physical Vapor Deposition)

단순한 공정이고, 다양한 물질을 이용가능하지만, step coverage가 낮다는 단점이 있습니다.

PVD 공정은 또 Thermal과 Sputtering 방식으로 나뉩니다.

(1) Thermal evaporation (high vacumm 공정)

단점: 낮은 접착성, 높은 오염도, 낮은 공정 재현성, 느린 속도

(가열 방식)

resistivity heat boat 방식: boat(그릇)이 불순물로 작용할 수 있음

electron beam 이용 방식: 기판이 손상될 수 있음

Inductivity heating 방식: 부도체는 불가능

(2) Sputtering (pure physical 공정)

장점: 어떤 물질도 가능, 균일한 thin film, 두께 조절 및 특성 제어 용이

단점: wafer 손상 가능

(종류)

DC sputtering, RF sputtering

2. CVD(Chemical Vapor Deposition)

과정: Precursors(반응성 기체)를 wafer 표면에 flow - wafer 표면 흡착 - 열, plasma로 chemical reaction - 증착

장점: thermal 대비 저온, 좋은 step coverage, 두께 조절 용이, 다양한 gas 사용하여 다양한 특성의 박막 형성 가능

단점: 많은 반응 변수, 유해 gas 사용, 복잡한 장치 사용, 증착가능 물질이 제한적

[CVD 분류]

(1) APCVD(Atmospheric Pressure CVD)

증착 과정은 핵을 중심으로 growth

상압 저온

장점: 간단한 장비, 빠른 속도

단점: 나쁜 step coverage

(2) LPCVD(Low Pressure CVD)

증착 과정은 핵을 중심으로 growth

저압 고온

장점: 고순도 박막, 높은 균일도, 좋은 step coverage

단점: 느린 속도

(3) PECVD(Plasma Enhanced CVD)

반응성이 높은 plasma를 사용하여 저온에서 reaction 속도 증가.

+) 원자 하나의 deposition 속도는 LPCVD>PECVD>APCVD

+) step coverage 특성 LPCVD>PECVD>APCVD

(4) HDPCVD(High Density Plasma CVD)

PECVD에 비해 높은 Plasma 밀도

Deposition과 Sputtering을 같이 시행

장점: PECVD보다 저온, 매우 높은 quality, void가 없음, 좋은 step coverage

단점: 느린 속도

(5) ALD(Atomic Layer Deposition)

원자를 1층씩 쌓아 증착

적정 온도 유지 필요(고온이면 precursors가 열 분해 및 탈착 현상을 보이고, 저온이면 응결 및 낮은 반응성)

장점: 매우 정교하고, 얇고, 높은 quality의 박막, 100% step coverage

단점: 매우 느림, 제한적인 precursors

GSAT 문제 중 자료해석 20번에서 계차수열이 자주 나오는 것 같습니다. 하나하나 계산하는 것은 시간이 너무 많이 걸려, 공식을 빨리 적용할 수 있도록 체화하는 것이 필요한 것 같습니다.

반도체의 Deposition에 다양한 방법이 있다는 것을 알게 되었습니다. 대부분 처음 보는 방법인 만큼 낯설었기 때문에, 주기적인 복습을 통해 외울 것입니다.

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