[GSAT]
¹®Á¦ÀÇ Á¢±Ù ¹æ½ÄµéÀÌ ÀÌÀü¿¡ ¼ö°Çß´ø °ÀÇ¿¡¼¿Í °°¾Ò½À´Ï´Ù. ±×·¡¼ Àü¹ÝÀûÀ¸·Î ºñ½ÁÇÑ ¹®Á¦¸¦ Ç®°í ÀÖ´Â °Í°ú °°Àº ´À³¦ÀÌ µé¾ú½À´Ï´Ù.
°è»êÀÌ ÇÊ¿ä ¾ø´Â ¼±Áö ¸ÕÀú Ǫ´Â °ÍÀÌ ½Ã°£ ´ÜÃà¿¡ ÁÁÁö¸¸, °£´ÜÇÑ ¿¬»êÀÇ °æ¿ìµµ ¿ÀÈ÷·Á °è»ê ¾ÈÇÏ´Â ¼±Áöº¸´Ù »¡¸® Ç® ¼ö ÀÖ´Â °æ¿ì°¡ ¸¹¾Ò½À´Ï´Ù.
11¹ø Áö¹®Àº ´Ù¾çÇÑ Ç®ÀÌÀÇ ¼±Áö°¡ ÀÖ´Â ¹®Á¦¿´½À´Ï´Ù. ¹®Á¦ Ǫ´Â ¼ø¼¸¦ °è»ê ¾ø´Â ¼±Áö - °£´ÜÇÑ °è»ê ¼±Áö - ... - °è»êÀÌ º¹ÀâÇÑ ¼±Áö ¼ø¼·Î Ç®¾ú½À´Ï´Ù. ´Ù¸¸ °è»êÀÌ º¹ÀâÇÑ ¼±ÁöÀÏ °Í °°Àº °Íµµ, °£´ÜÇÑ °è»ê¸¸ ¿ä±¸µÇ¾î¼ ½ÇÀü¿¡¼ ´Ù¼Ò Çò°¥¸± °Í °°½À´Ï´Ù.
Æò±Õ ´ë¼Òºñ±³ÀÇ °æ¿ì, Ç׸ñ ¼ö¸¸ÅÀ¸·Î ³ª´©±â º¸´Ù ´Ü¼øÈ÷ ÃÑÇÕÀ» ºñ±³ÇÏ´Â °Í¸¸À¸·Îµµ °¡´ÉÇß½À´Ï´Ù.
[¹ÝµµÃ¼]
photolithography °øÁ¤¿¡ ´ëÇØ ÀÌÀüº¸´Ù ¼¼¼¼È÷ ¹è¿ü½À´Ï´Ù.
°øÁ¤ÀÇ ¼ø¼¿Í Ư¡À» ´ÙÀ½°ú °°½À´Ï´Ù.
1. Photoresist coating
photoresist´Â resin(·¹Áø), solvent(¿ë¸Å), photoactive compound(°¨±¤ ¼ººÐ)·Î ±¸¼ºµË´Ï´Ù.
photoresist´Â wafer¿ÍÀÇ Á¢Âø¼º, etching ÀúÇ×¼º, Àû´çÇÑ Á¡µµ, Çö»ó ´É·Â, ¿Àû ¾ÈÁ¤¼º, Á¦°ÅÀÇ ¿ëÀ̼ºÀ» °¡Á®¾ß ÇÕ´Ï´Ù.
+) Àû´çÇÑ Á¡µµ´Â ±ÕÀÏÇÑ coatingÀ» À§ÇØ ÇÊ¿äÇÕ´Ï´Ù.
coatingÀº wafer¸¦ HDMS Áõ±â¿¡ ³ëÃâ ½ÃÄÑ photoresist¿ÍÀÇ Á¢Âø¼ºÀ» ´Ã¸° ÈÄ, ȸÀüÇϸç ÄÚÆÃÇÕ´Ï´Ù.
2. Soft baking
³·Àº ¿Âµµ(90~100µµ)¿¡¼ ¿Ã³¸®¸¦ ÇÏ¿©, PR¿¡ Æ÷ÇÔµÈ ¿ë¸Å¸¦ Á¦°ÅÇÏ¿© wafer¿ÍÀÇ Á¢Âø¼ºÀ» Çâ»óÇÏ°í spin coating Áß¿¡ Çü¼ºµÈ stress¸¦ Á¦°ÅÇÕ´Ï´Ù.
3. Photomask align
4. Exposure(³ë±¤)
°øÁ¤Àº Å©°Ô ±ÙÁ¢°ú Åõ¿µ ¹æ½ÄÀ¸·Î ³ª´¹´Ï´Ù.
4-1) ±ÙÁ¢ ¹æ½Ä¿¡´Â ¶Ç contact¿Í proximity ¹æ½ÄÀ¸·Î ³ª´· ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
contactÀº mask¿Í PRÀÌ Á¢ÃËÇÑ »óÅ·Î, proximity´Â gapÀ» µÎ°í ±¤¿øÀ» ÂؾîÁÝ´Ï´Ù.
contact ¹æ½ÄÀÇ ÀåÁ¡Àº ȸÀýÀÇ ¿µÇâÀÌ Àû°í Á¤¹Ð ÆÐÅÏ¿¡ À¯¸®ÇÏ´Ù´Â °ÍÀÌÁö¸¸, ´ÜÁ¡Àº maskÀÇ ¼ö¸íÀÌ ´ÜÃàµÈ´Ù´Â °ÍÀÔ´Ï´Ù. proximity´Â contactÀÇ ´ÜÁ¡À» ÀåÁ¡À¸·Î, ÀåÁ¡À» ´ÜÁ¡À¸·Î °®½À´Ï´Ù.
4-2) Åõ¿µ (projection)
mask ¾Æ·¡ lense¸¦ Ãß°¡·Î µÎ¾î ±ÙÁ¢ ¹æ½ÄÀÇ ´ÜÁ¡À» º¸¿ÏÇÕ´Ï´Ù.
4-3) ±¤¿øÀÇ ÁÖ¿ä ÀÎÀÚ
(1) DOF (Depth Of Focus, ÃÊÁ¡½Éµµ): ÃÊÁ¡À» À¯ÁöÇÑ Ã¤·Î ¿òÁ÷ÀÏ ¼ö ÀÖ´Â ¹üÀ§. Ŭ¼ö·Ï ÁÁ½À´Ï´Ù.
(2) res (Resolution, ºÐÇØ´É): ±¸º°Çس¾ ¼ö ÀÖ´Â °¡Àå ¹Ì¼¼ÇÑ Â÷ÀÌ. ÀÛÀ»¼ö·Ï ÁÁ½À´Ï´Ù.
DOF´Â ºûÀÇ ÆÄÀå¿¡ ºñ·ÊÇÏ°í ·»ÁîÀÇ °³±¸¼ö(·»Áî Å©±â)ÀÇ Á¦°ö¿¡ ¹Ýºñ·ÊÇÕ´Ï´Ù.
res´Â ºûÀÇ ÆÄÀå¿¡ ºñ·ÊÇÏ°í ·»ÁîÀÇ °³±¸¼ö¿¡ ¹Ýºñ·ÊÇÕ´Ï´Ù.
°øÁ¤ ¹Ì¼¼È¿¡ µû¶ó ºûÀÇ ÆÄÀåÀÌ Âª¾ÆÁ®¼ res´Â ÁÁ¾ÆÁöÁö¸¸, DOF´Â ³ªºüÁý´Ï´Ù. ÀÌ ³ªºüÁø Ư¼ºÀ» CMP¿Í PR µÎ²² °¨¼Ò·Î ´ëÀÀÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
[ȸ·Î ¹Ì¼¼È ±â¼ú(RET)]
-Immersion: lense¿Í PR »çÀÌ ¼ø¼öÇÑ ¹°À» À§Ä¡ÇÕ´Ï´Ù. ºûÀÇ ±¼Àý·üÀÌ ±âüº¸´Ù ¾×ü¿¡¼ ´õ Å©´Ù´Â Ư¼ºÀ» ÀÌ¿ëÇÑ °ÍÀÔ´Ï´Ù.
-OAI(Off-Axis-Illumination): ºûÀ» mask¿¡ ¼öÁ÷ÀÌ ¾Æ´Ï°Ô ÀÔ»ç½ÃÄÑ È¸Àý È¿°ú¸¦ °¨¼Ò½Ãŵ´Ï´Ù.
-OPC(Optical-Proximity-Correction): design°ú ´Ù¸¥ ÇüÅÂÀÇ mask·Î, ȸÀý È¿°ú¸¦ ¿¹»ó ÇÏ°í ¸¸µì´Ï´Ù.
-PSM(Phase-Shift-Mask): ºûÀÌ Á¶»çµÇÁö ¾ÊÀ» ºÎÀ§ÀÇ phase¸¦ ¹Ý´ë·Î ÇÏ¿© »ó¼â°£¼·½Ãŵ´Ï´Ù.
-Double patterning: LELE, LFLE, sidewall spacer·Î °øÁ¤¿¡¼ mask·Î ³¾ ¼ö ÀÖ´Â ÃÖ¼Ò °£°Ýº¸´Ù Á¼°Ô patterningÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
5. Post esposure baking
110~120µµ¿¡¼ ¿Ã³¸®¸¦ ÇÏ¿© PR Ç¥¸éÀ» ÆòźÈÇÏ°í, exposure µµÁß »ý±ä Ç¥¸é ´ÜÂ÷¸¦ Á¦°ÅÇÕ´Ï´Ù.
6. Developing(Çö»ó)
Çö»ó¾×À» »Ñ·Á exposureµÈ ºÎºÐ°ú µÇÁö ¾ÊÀº ºÎºÐÀ» ¼±ÅÃÀûÀ¸·Î Á¦°ÅÇÏ´Â °øÁ¤ÀÔ´Ï´Ù.
7. Hard baking
120~180µµ¿¡¼ ¿Ã³¸®¸¦ ÇÏ¿© Çö»ó¾×, ¸°½º¾×, ¼¼Á¤¾× µîÀ» Á¦°ÅÇÔÀ¸·Î½á etching resistance ¹× wafer¿ÍÀÇ Á¢Âø¼ºÀ» Áõ°¡ÇÕ´Ï´Ù.
GSATÀÇ °ÀÇ ³»¿ëÀº ¹®Á¦¿¡ »õ·Ó°Ô Á¢±ÙÇÏ´Â ¹æ½ÄÀÌ ¾ø¾î¼ ´Ù¼Ò ¾Æ½¬¿ü½À´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸ Áö±Ý±îÁö ¹è¿î ³»¿ëÀ» üȽÃÄÑ Àͼ÷ÇØÁö±â¸¸ ÇÑ´Ù¸é ¼ö¿ùÇÏ°Ô ÀÎÀû¼ºÀ» ´ëºñÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °Í °°½À´Ï´Ù.
photolithography °øÁ¤ÀÌ ÀÌ·¸°Ô ¼¼ºÐÈ µÇ¾î ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ¾Ë°Ô µÇ¾ú½À´Ï´Ù. ¿©·¯ °øÁ¤º¸´Ù °øÁ¤ ¹Ì¼¼È¿¡ °¡Àå Å« ¿µÇâÀ» ÁÖ´Â °øÁ¤ÀÎ ¸¸Å Á¦´ë·Î ÀÍÇô¾ß°Ú´Ù´Â »ý°¢ÀÌ µì´Ï´Ù.