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[7일차] 해커스잡 GSAT + 반도체 2주 완성 스터디로 삼성전자 취업 준비합니다!

| 조회 4696 |

[GSAT]

문제의 접근 방식들이 이전에 수강했던 강의에서와 같았습니다. 그래서 전반적으로 비슷한 문제를 풀고 있는 것과 같은 느낌이 들었습니다.

계산이 필요 없는 선지 먼저 푸는 것이 시간 단축에 좋지만, 간단한 연산의 경우도 오히려 계산 안하는 선지보다 빨리 풀 수 있는 경우가 많았습니다.

11번 지문은 다양한 풀이의 선지가 있는 문제였습니다. 문제 푸는 순서를 계산 없는 선지 - 간단한 계산 선지 - ... - 계산이 복잡한 선지 순서로 풀었습니다. 다만 계산이 복잡한 선지일 것 같은 것도, 간단한 계산만 요구되어서 실전에서 다소 헷갈릴 것 같습니다.

평균 대소비교의 경우, 항목 수만큼으로 나누기 보다 단순히 총합을 비교하는 것만으로도 가능했습니다.



[반도체]

photolithography 공정에 대해 이전보다 세세히 배웠습니다.

공정의 순서와 특징을 다음과 같습니다.

1. Photoresist coating

photoresist는 resin(레진), solvent(용매), photoactive compound(감광 성분)로 구성됩니다.

photoresist는 wafer와의 접착성, etching 저항성, 적당한 점도, 현상 능력, 열적 안정성, 제거의 용이성을 가져야 합니다.

+) 적당한 점도는 균일한 coating을 위해 필요합니다.

coating은 wafer를 HDMS 증기에 노출 시켜 photoresist와의 접착성을 늘린 후, 회전하며 코팅합니다.

2. Soft baking

낮은 온도(90~100도)에서 열처리를 하여, PR에 포함된 용매를 제거하여 wafer와의 접착성을 향상하고 spin coating 중에 형성된 stress를 제거합니다.

3. Photomask align

4. Exposure(노광)

공정은 크게 근접과 투영 방식으로 나뉩니다.

4-1) 근접 방식에는 또 contact와 proximity 방식으로 나뉠 수 있습니다.

contact은 mask와 PR이 접촉한 상태로, proximity는 gap을 두고 광원을 쬐어줍니다.

contact 방식의 장점은 회절의 영향이 적고 정밀 패턴에 유리하다는 것이지만, 단점은 mask의 수명이 단축된다는 것입니다. proximity는 contact의 단점을 장점으로, 장점을 단점으로 갖습니다.

4-2) 투영 (projection)

mask 아래 lense를 추가로 두어 근접 방식의 단점을 보완합니다.

4-3) 광원의 주요 인자

(1) DOF (Depth Of Focus, 초점심도): 초점을 유지한 채로 움직일 수 있는 범위. 클수록 좋습니다.

(2) res (Resolution, 분해능): 구별해낼 수 있는 가장 미세한 차이. 작을수록 좋습니다.

DOF는 빛의 파장에 비례하고 렌즈의 개구수(렌즈 크기)의 제곱에 반비례합니다.

res는 빛의 파장에 비례하고 렌즈의 개구수에 반비례합니다.

공정 미세화에 따라 빛의 파장이 짧아져서 res는 좋아지지만, DOF는 나빠집니다. 이 나빠진 특성을 CMP와 PR 두께 감소로 대응할 수 있습니다.

[회로 미세화 기술(RET)]

-Immersion: lense와 PR 사이 순수한 물을 위치합니다. 빛의 굴절률이 기체보다 액체에서 더 크다는 특성을 이용한 것입니다.

-OAI(Off-Axis-Illumination): 빛을 mask에 수직이 아니게 입사시켜 회절 효과를 감소시킵니다.

-OPC(Optical-Proximity-Correction): design과 다른 형태의 mask로, 회절 효과를 예상 하고 만듭니다.

-PSM(Phase-Shift-Mask): 빛이 조사되지 않을 부위의 phase를 반대로 하여 상쇄간섭시킵니다.

-Double patterning: LELE, LFLE, sidewall spacer로 공정에서 mask로 낼 수 있는 최소 간격보다 좁게 patterning할 수 있습니다.

5. Post esposure baking

110~120도에서 열처리를 하여 PR 표면을 평탄화하고, exposure 도중 생긴 표면 단차를 제거합니다.

6. Developing(현상)

현상액을 뿌려 exposure된 부분과 되지 않은 부분을 선택적으로 제거하는 공정입니다.

7. Hard baking

120~180도에서 열처리를 하여 현상액, 린스액, 세정액 등을 제거함으로써 etching resistance 및 wafer와의 접착성을 증가합니다.

GSAT의 강의 내용은 문제에 새롭게 접근하는 방식이 없어서 다소 아쉬웠습니다. 하지만 지금까지 배운 내용을 체화시켜 익숙해지기만 한다면 수월하게 인적성을 대비할 수 있을 것 같습니다.

photolithography 공정이 이렇게 세분화 되어 있다는 것을 알게 되었습니다. 여러 공정보다 공정 미세화에 가장 큰 영향을 주는 공정인 만큼 제대로 익혀야겠다는 생각이 듭니다.

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