[GSAT]
Àü¹ÝÀûÀ¸·Î ÀÌÀü¿¡ µè´ø °ÀÇ¿Í µ¿ÀÏÇÑ ³»¿ëÀ̾ú½À´Ï´Ù.
1¹ø ÀÀ¿ë¼ö¸® ¹®Á¦ÀÇ °æ¿ì, °æ¿ìÀÇ ¼ö¸¦ °í·ÁÇÏ´Â °úÁ¤¿¡¼ °ÀÇ¿¡¼Ã³·³ ¸ðµç °æ¿ì¸¦ °í·ÁÇÏ´Â °Í º¸´Ü, »ó°ü ¾ø´Â °æ¿ì¸¦ ¹èÁ¦ÇÏ´Â °ÍÀÌ´õ È¿À²ÀûÀÎ °Í °°½À´Ï´Ù. ´ë¸®¿Í ¿©ÀÚ »ç¿øÀÌ ¾î¶² ÆÀ¿¡ ¹èÁ¤µÇµç °£¿¡, ºÎÀåÀÌ ¾î¶² Á÷±Þ°ú °°Àº ÆÀÀ» ÀÌ·ç´Â Áö¸¸ °í·ÁÇÏ´Â °ÍÀÌ ½Ã°£ ´ÜÃà¿¡ µµ¿òÀÌ µÇ¾ú½À´Ï´Ù.
ÀÚ·áÇؼ® ¹®Á¦´Â ƯÈ÷ ºü¸£°Ô ½¬¿î ¹®Ç׺ÎÅÍ ¼Ô¾Æ³»´Â °ÍÀÌ Áß¿äÇÑ °ÍÀ» ´õ ´À²¼½À´Ï´Ù. Áõ°¨ÃßÀÌ/¼øÀ§ÀÇ ¹®Á¦°¡ °¡Àå ½±°Ô ãÀ» ¼ö ÀÖ°í, ´Ü¼ø Â÷ÀÌ°¡ ±× ´ÙÀ½ ¼ø¼ÀÎ °Í °°½À´Ï´Ù. º¹ÀâÇÑ ¼ýÀÚÀÇ °öÇϱâ, ³ª´©±â´Â ÃÖÈļøÀ§ ÀÔ´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸ 10%, 20%, 1%¿Í °°Àº °£´ÜÇÑ °ªµéÀº »¡¸® °è»êÇÒ ¼ö ÀÖ¾î¼ ³Ñ¾î°¡Áö ¾Ê´Â °Ô ÁÁÀ» °Í °°½À´Ï´Ù.
8¹ø ¹®Á¦¿¡¼ ¹®Ç× c°¡ »ý·«µµ ¾ÈµÇ°í °è»ê¿¡ ¿À·¡ °É·È½À´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸ °ÀÇ¿¡¼¿Í °°ÀÌ °¡Áß Æò±ÕÀ¸·Î Ǫ´Ï º¸´Ù ºü¸£°Ô, º¹ÀâÇÑ °è»ê ¾øÀÌ ´äÀ» ±¸ÇÒ ¼ö ÀÖ¾ú½À´Ï´Ù. °¡ÁßÆò±ÕÀÌ ¸¹ÀÌ À¯¿ëÇÑ °Í °°½À´Ï´Ù.
[¹ÝµµÃ¼]
8´ë °øÁ¤¿¡ °üÇØ ´ë·«ÀûÀ¸·Î ¹è¿ü½À´Ï´Ù.
1. ¿þÀÌÆÛ »ý»ê
-chzochralski: »ý»ê·® ÁÁ¾Æ¼ ÁÖ¿ä »ç¿ë
-floating zone: ¼øµµ ³ôÀº ¿þÀÌÆÛ »ý»ê °¡´É
2. oxidation: »êȹڸ·Ãþ »ý¼º
-wet oxidation: H2O »ç¿ë. Si wafer·Î È®»ê ¼Óµµ°¡ »¡¶ó, °øÁ¤ ¼Óµµ°¡ ºü¸§
-dry oxidation: O2 »ç¿ë. È®»ê ¼Óµµ°¡ ´À·Á¼ °øÁ¤ ¼Óµµ ´À¸². ÇÏÁö¸¸ Ç°ÁúÀÌ ´õ ÁÁÀ½
3. photolithography : photo mask patterning
4. etching: ºÒÇÊ¿äÇÑ ºÎºÐ Á¦°Å
wet etchingÀº Ç¥¸éÀå·Â ¶§¹®¿¡ Á¤È®µµ°¡ ³·À½
5. deposition
¾ãÀº ¸· Çü¼º. ion implantationÀÇ °æ¿ì ¹Ðµµ¸¦ Á¶ÀýÇÏ¿© ÁÖÀÔ °¡´ÉÇÔ. ÇÏÁö¸¸ wafer °ÝÀÚ±¸Á¶°¡ Æı«µÇ¹Ç·Î ÈÄ¿¡ °í¿Â¿¡¼ Àç°áÁ¤È ½ÃÄÑ¾ß ÇÔ
6. metalization: Àü±â ¹è¼±
7. EDS(test): wafer level¿¡¼ °Ë»çÇÏ°í, repair °¡´É ¿©ºÎ¸¦ ÆÇ´ÜÇÏ¿© °¡´É ½Ã repair
8. packaging: ¼ÒÀÚ Æ÷Àå
+) CMP: wafer Ç¥¸éÀÇ ¹Ú¸· ÆòÅºÈ (photoresist Á¦°Å)
ÀÌÀü °ÀÇ¿Í °ãÄ¡´Â ³»¿ëÀÌ ¸¹¾Ò½À´Ï´Ù. ±×¸¸Å ±âº»ÀûÀÌ°í Áß¿äÇÑ ºÎºÐÀ̶ó°í »ý°¢ÇÏ¿©, ³õÄ£ ºÎºÐÀº ¾ø´ÂÁö Á» ´õ ²Ä²ÄÈ÷ µé¾ú´ø °Í °°½À´Ï´Ù. ÀÌÈÄ °øÁ¤¿¡ ´ëÇØ ´õ ¼¼ºÎÀûÀ¸·Î ¹è¿ì¸ç ¸Ó¸®¼Ó¿¡ °³³äÀ» ü°èÀûÀ¸·Î Çü¼ºÇÏ°í ½Í½À´Ï´Ù.