[GAST]
13번 조건추리 파트는 실전에서 문제를 풀 때 경우의 수가 다양해서 오래 걸렸습니다.
하지만 강의에서와 같이, 자리를 바꿀 수 있는 항목은 같은 도형으로 나타냈을 때, 훨씬 적은 표로 다양한 경우를 한눈에 비교할 수 있게 되었습니다. A, B는 같은 행에 주차한다의 경우, A와 B를 동그라미로 나타낸 것입니다. 그렇게 하여 경우의 수가 몇개가 되는지 판단할 때, 표 2개 * 동그라미 문자 2종류 * 세모 문자 2종류로 8개임을 쉽게 구할 수 있었습니다.
14번 문제에서, 리그 식으로 주어진 문제는 x*x 행으로 승/패 대칭 모양의 표로 나타내는 것이 훨씬 보기 편하다는 것을 새로 알게 되었습니다.
[반도체]
(1) MOSFET 구조와 Band diagram 설명하는 면접 기출
energy band의 경우 Gate-Oxide-Semiconductor 수직 구조를 설명합니다.
(2) MOSFET 특성 저하
원인으로 trap, TDDB가 있습니다.
trap: carrier가 oxide 내부나 oxide-semiconductor 경계 defect에 고정되는 현상입니다.
TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown): 터널링에 의해 에너지 준위가 높은 oxide를 carrier가 통과합니다. 전기장에 의해 SiO2의 energy band가 tilt 되어 얇아진 에너지 장벽을 통과합니다.
(3) Short channel effect 원인과 해결 방안
short channel effect는 channel 길이가 짧아짐에 따라 생기는 모든 현상입니다.
(4) HKMG(High-k metal gate)
도입 배경: 공정 미세화 - oxide 면적 감소 - Capacitance 유지 위해 두께 감소 - 터널링 효과 늘어나서 leakage current 증가: 높은 유전율 k를 가진 물질을 필요로 하게 되었습니다.
high-k 물질로 HfO2와 ZrO2가 사용됩니다.
기존 MOSFET는 SiO2와 degenerated polysilicon이 수직으로 gate를 형성했으나, HKMG는 HfO2와 Metal로 gate를 만듭니다.
(5) finFET
short channel effect를 해결하기 위해서 고안되었습니다. channel을 3면으로 형성하여 Vth 조절을 용이하게 할 수 있습니다.
다양한 문제가 있는데, 공정이 복잡하여 미세 결함이 확대될 수 있고, 각 channel 접합면마다 Vth가 달라 전류 특성에 영향을 주기도 합니다. 또, Source와 Drain의 단면적이 감소하여 저항 또한 증가합니다.
(6) MOSCAP
source, drain이 없는 MOSFET 모양입니다.
MOSFET과는 달리 accumulation에서도 동작하여 교류에서도 사용할 수 있습니다.
전공을 공부하며 MOSFET만 오래 공부했어서, HKMG와 finFET, MOSCAP이 생소했습니다. 간결하게 알게 되어 기본 틀을 잡을 수 있었고, 조금 더 자세한 내용을 따로 배워 완벽한 이해를 해야 할 것 같습니다.
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