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[4일차] 해커스잡 GSAT + 반도체 2주 완성 스터디로 삼성전자 취준합니다!

| 조회 4354 |

[GSAT]

해커스 실전 모의고사 1회차의 추리 파트 강의를 수강하였습니다.

천천히 생각해보면 모두 못 풀 문제는 아닌 것 같은데, 조건 추리 부분이 시간을 많이 소요하였습니다.

5번 문제를 푸는 데 가장 시간이 오래 걸렸습니다. 접근 방식을 한번에 알지 못했기 때문입니다. 지문에 직접적으로 나타난 확실한 조건을 표에 표기하고, 간접적으로 추리해서 확실해진 조건을 찾는 것이 시간 단축의 핵심이라 생각할 수 있었습니다.

참/거짓을 말하는 사람을 구분해야 하는 문제 9번의 경우, 'xx는 거짓말을 하고 있어/거짓말을 하지 않아'의 조건을 처음으로 참/거짓으로 가정했을 때 그나마 문제 푸는 시간이 단축되었습니다. 강의에서도 동일하게 접근하여 앞으로는 이러한 순서로 문제를 풀어야 겠습니다.



[반도체]

오늘 반도체에서는 Energy band와 Fermi level, pn junction에 대해 정리했습니다. 셋 다 반도체의 기본이긴 하지만, 면접에서 물어볼 정도로 중요하기 때문에 열심히 들었습니다.

(1) Energy Band?

동일한 원자라면 개인은 원래 같은 에너지 준위를 갖지만, 동일한 원자가 붙어 있을 경우 파울리 배타 원리에 의해 같은 에너지 준위를 갖을 수 없습니다. 그래서 에너지 준위가 조금씩 다르게 나타나는데, 많은 원자가 결합할 경우 에너지 띠가 연속적인 모양을 하여 Energy Band로 나타납니다. 이 Energy Band는 공유 결합을 하고 있는 전자들의 에너지 준위 valence band와 자유롭게 전도하는 conduction band로 구분됩니다. (1-1) 그리고 이 band간 에너지 차이를 Band gap energy라고 합니다.

(2) Fermi level?

전자가 발견될 확률이 50%인 에너지 지점입니다. 순수반도체는 Band Gap의 중간 지접에 fermi level이 형성되어 있습니다. n-type으로 도핑된 반도체는 conduction band에 가깝게, p-type 반도체는 valence band에 가깝게 위치합니다.

절대온도 0K에 가까울 경우, Fermi level의 그래프는 step function에 가까운 모양이나, 온도가 높을수록 왜곡됩니다.

(3) pn junction?

p-type 반도체와 n-type 반도체를 붙여놓은 것을 말합니다. 두 반도체가 접합하면 free carrier가 상대쪽의 극성에 의해 넘어가서 결합하여, 접합부에 depletion layer를 형성합니다. depletion layer에는 free carrier가 없고 대신 양이온, 음이온에 의한 전기장이 있습니다. 이 전기장에 의해 energy band가 왜곡되어 pn junction은 같은 fermi level을 갖고 다른 valence, conduction band energy 를 갖는 모양을 띄게 됩니다. (3-1) 왜곡되어 차이가 나는 p-type, n-type의 conduction band energy의 차이는 built-in energy로, n-type의 반도체에서 conduction band의 전자가 p-type로 넘어가는 데 필요한 에너지 장벽이라 할 수 있습니다.

GSAT의 강의의 경우, 논리적으로 문제를 순차적으로 풀어 푸는 과정에 대한 이해는 쉬웠으나, 시간 단축에 대한 tip을 얻기가 어려워 아쉬웠습니다.

반도체 강의는 여러 시간에 걸쳐 익혔던 이론을 간단하게 다시 한 번 복습할 수 있는 시간이었습니다.

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