[GSAT]
¿À´Ã ¹®Á¦¿¡¼ ƯÈ÷ ¿ÇÀº °Í/ ¿ÇÁö ¾ÊÀº °ÍÀ» ¸ðµÎ °í¸£´Â ¹®Á¦°¡ ¸¹¾Ò´ø °Í °°½À´Ï´Ù.
Æò¼Ò¿¡ ¹®Á¦¸¦ Ç® ¶§´Â a~d ¼ø¼´ë·Î Ç®´Ù°¡, À߸øµÈ ¼±Áö¸¦ Á¦¿ÜÇÏ´Â ¹æ½ÄÀ¸·Î Ç®¾ú´Âµ¥, °ÀÇ¿¡¼´Â ´Ù¸£°Ô ¼³¸íÇϼ̽À´Ï´Ù. 4°¡Áö ¼±Åà ¼±Áö Áß Ç®±â ½¬¿î ¼ø¼·Î ¼±ÅÃÁö¸¦ Á¦°ÅÇÏ¿´À» ¶§ ´õ¿í ¹®Á¦¸¦ »¡¸® Ç® ¼ö ÀÖ´Ü °ÍÀ» ¾Ë°Ô µÇ¾ú½À´Ï´Ù. ½Ç½Ã°£À¸·Î ¹®Á¦¸¦ Ç® ¶§ ½Ã°£ÀÌ ¿À·¡ °É·È´ø ¼±Áö¸¦ ¾Æ¿¹ Á¦¿ÜÇÏ°í Ç® ¼ö ÀÖ¾î Á¤¸» ÁÁÀº ¹æ¹ýÀÎ °Í °°½À´Ï´Ù.
14¹øÀÇ °è»ê ¹®Á¦°¡ Á÷Á¢ Ç® ¶§ ½Ã°£ÀÌ ¿À·¡ °É·È½À´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸ °ÀÇ¿¡¼Ã³·³ Áõ°¡ÇÏ´Â ÀοøÀ» ¹ÌÁö¼ö x·Î µÎ°í 2x * 0.4 = 100À» ¹æÁ¤½ÄÀ¸·Î ¼¼¿ì´Ï, ¹®Á¦¸¦ ª°í °£°áÇÏ°Ô Ç® ¼ö ÀÖ¾ú½À´Ï´Ù. ºÒÇÊ¿äÇÑ °è»ê °úÁ¤À» ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖµµ·Ï ¾ÕÀ¸·Î´Â °í¹ÎÀ» ¸¹ÀÌ ÇغÁ¾ß °Ú½À´Ï´Ù.
[¹ÝµµÃ¼]
¿À´ÃÀº ¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤¿¡ ´ëÇØ ¹è¿ü½À´Ï´Ù.
°øÁ¤ ¼ø¼´Â
(1) wafer Á¦Á¶: ½Ç¸®ÄÜ IngotÀ» ¸¸µé°í Àý´ÜÇÏ°í Ç¥¸éÀ» ¿¬¸¶ÇÏ¿© wafer¸¦ »ý»êÇÕ´Ï´Ù.
ÁÖ·Î Czochralski ¹æ¹ýÀ» »ç¿ëÇϴµ¥, ½Ç¸®ÄÜ single °áÁ¤À» seed·Î ÇÏ¿© ¿ëÇØµÈ ½Ç¸®ÄÜ¿¡ ³Ö°í, ȸÀüÇϸç ingotÀ» ¸¸µé¾î ³À´Ï´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ¹æ¹ýÀº floating zone ¹æ¹ýº¸´Ù »ý»ê¼ºÀÌ ³ô½À´Ï´Ù.
(2) Oxidation
»êȹڸ·Ãþ SiO2¸¦ wafer Ç¥¸é¿¡ Çü¼ºÇÕ´Ï´Ù.
(3) Photolithography
wafer Ç¥¸é¿¡ photoresist ¿ë¾×À» µµÆ÷ÇÏ°í, ±× À§¿¡ mask¸¦ ´í ÈÄ UV¸¦ ÂؾîÁÝ´Ï´Ù. UV¸¦ ÂؾîÁØ ºÎºÐÀº °øÁ¤ ¹æ¹ý¿¡ µû¶ó ±»°Å³ª ³ì´Âµ¥, photoresist¸¦ ´Û¾Æ patternÀ» mask À§¿¡ ³ªÅ¸³À´Ï´Ù.
(4) Etching
photoresist°¡ µµÆ÷µÈ patternÀ» µû¶ó ºÒÇÊ¿äÇÑ ºÎºÐÀ» Á¦°ÅÇÕ´Ï´Ù.
(5-1) Thin film deposition
CVD, PVD¿Í °°Àº ÁõÂø ±â¼ú·Î ¾ãÀº ¸·À» Çü¼ºÇÏ´Â °øÁ¤ÀÔ´Ï´Ù.
(5-2) Ion implantation
ÀÌ¿ÂÀ» ÁÖÀÔÇÏ´Â °øÁ¤À¸·Î, injection°ú diffusion ¹æ¹ýÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
(6) Metalization
±Ý¼ÓÀ¸·Î ¿¬°á ȸ·Î¸¦ ¹è¼±ÇÏ´Â ÀÛ¾÷ÀÔ´Ï´Ù.
(7) EDS (Electrical Die Sorting)
waferÀÇ chip »óŸ¦ °Ë»çÇÕ´Ï´Ù.
¼öÀ² Yield = ¾çÇ° Chip ¼ö / Àüü Chip ¼ö * 100
(8) Packaging
¿ÜºÎ ȯ°æÀ¸·ÎºÎÅÍ º¸È£ÇÕ´Ï´Ù.