[¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º

[¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º
- ¼±»ý´Ô±èµ¿¹Î
- ¼ö°±â°£30ÀÏ
- °ÀǼö8°
-
±³Àç¸í
±³¾È (¸¶ÀÌÆäÀÌÁö ³» PDFÆÄÀÏ Á¦°ø)

½±°í ºü¸£°Ô ÀÌÇØÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹« °ÀÇ! [¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º
¾à·Â
(Çö) ÇØÄ¿½ºÀâ À̰ø°è ´ëÇ¥ ¼±»ý´Ô
(Çö) ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÀÚ¿ø°ü¸® ¼±»ý´Ô
(Àü) »ï¼º ÄÚ´× °øÁ¤ ¹× ǰÁú°ü¸® ±Ù¹«
Corning °øÁ¤ ¹× ǰÁú°ü¸® ±Ù¹«
6-sigma, TRIZ »ç³» °»ç
À̰ø°è Àü¹®°¡

¼ö°´ë»ó
- ´ë±â¾÷ Àü°ø °ü·Ã ¸éÁ¢À» Àü·«ÀûÀ¸·Î ÁغñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã ´ë±â¾÷ ÀԻ縦 ¸ñÇ¥·Î ÇϽô ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü¹ÝÀûÀÎ °³³äÀ» ½ÇÀü¿¡ ºü¸£°Ô Àû¿ëÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ¹è¿ì°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
°ÀǸñÂ÷
°ÀǸí |
[¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º | |||||
¸ñÂ÷ |
³»¿ë | ½Ã°£ | ||||
Á¦ 1 ° |
Energy band¿Í ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È | 36ºÐ | ||||
Á¦ 2 ° |
MOSFET (1) | 29ºÐ | ||||
Á¦ 3 ° |
MOSFET (2) | 25ºÐ | ||||
Á¦ 4 ° |
¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤ : °øÁ¤ È帧¿¡ µû¸¥ MOSFET Á¦ÀÛ °úÁ¤ | 26ºÐ | ||||
Á¦ 5 ° |
Photolithography °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë | 26ºÐ | ||||
Á¦ 6 ° |
Deposition °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë | 31ºÐ | ||||
Á¦ 7 ° |
Etching °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë / Plasma | 31ºÐ | ||||
Á¦ 8 ° |
Memory ¹ÝµµÃ¼ : NAND Flash / Ram | 32ºÐ |
¼ö°Èıâ
- ¼ö°·á
- 39,000¿ø
