[±âº»] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - ¼ÒÀÚ/°øÁ¤

[±âº»] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - ¼ÒÀÚ/°øÁ¤
- ¼±»ý´Ô±èµ¿¹Î
- ¼ö°±â°£30ÀÏ
- °ÀǼö19°
-
±³Àç¸í
±³¾È (¸¶ÀÌÆäÀÌÁö ³» PDFÆÄÀÏ Á¦°ø)

½±°í ºü¸£°Ô ÀÌÇØÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹« °ÀÇ! [±âº»] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - ¼ÒÀÚ/°øÁ¤
¾à·Â
(Çö) ÇØÄ¿½ºÀâ À̰ø°è ´ëÇ¥ ¼±»ý´Ô
(Çö) ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÀÚ¿ø°ü¸® ¼±»ý´Ô
(Àü) »ï¼º ÄÚ´× ¹× ¿Ü±¹°è ±â¾÷ Á¦Ç° »ý»ê ¡¤ ǰÁú°ü¸® ±Ù¹«
6-sigma, TRIZ »ç³» °»ç
ÀÎõ´ëÇб³/°æÈñ´ëÇб³ NCS °ÀÇ
À̰ø°è Àü¹®°¡

¼ö°´ë»ó
- ´ë±â¾÷ Àü°ø ½ÃÇèÀ» ÁغñÇϱâ À§ÇØ Àü·«ÀûÀ¸·Î ÁغñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã ´ë±â¾÷ ÀԻ縦 ¸ñÇ¥·Î ÇϽô ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü¹ÝÀûÀÎ °³³äºÎÅÍ ½ÉȱîÁö Çѹø¿¡ ¹è¿ì°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
- ¹ÝµµÃ¼ ¿ø¸®¸¦ ÅëÇØ ¾Ï±â°¡ ¾Æ´Ñ ºü¸£°í ½±°Ô Àü°ø Áö½ÄÀ» ½ÀµæÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
°ÀǸñÂ÷
°ÀǸí |
[±âº»] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - ¼ÒÀÚ/°øÁ¤ | |||||
¸ñÂ÷ |
³»¿ë | ½Ã°£ | ||||
Á¦ 1 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Energy band¿Í Fermi level | 43ºÐ | ||||
Á¦ 2 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Extrinsic semiconductor | 29ºÐ | ||||
Á¦ 3 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Current in semiconductor Á¾·ù, º¯È, ±¸Çϱâ | 24ºÐ | ||||
Á¦ 4 ° |
[ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] ½ÉÈ ÀÌ·Ð | 23ºÐ | ||||
Á¦ 5 ° |
[¼ÒÀÚ] p-n junction 1 : Depletion layer / Doping concentration¿¡ µû¸¥ º¯È | 23ºÐ | ||||
Á¦ 6 ° |
[¼ÒÀÚ] p-n junction 2 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È | 22ºÐ | ||||
Á¦ 7 ° |
[¼ÒÀÚ] p-n junction 3 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È (Àüü±¸°£) | 28ºÐ | ||||
Á¦ 8 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 1 : ±âº» ±¸Á¶ | 32ºÐ | ||||
Á¦ 9 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 2 : µ¿ÀÛ¿ø¸® | 26ºÐ | ||||
Á¦ 10 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 3 : ÃøÁ¤ | 29ºÐ | ||||
Á¦ 11 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 4 : Ư¼º ÀúÇÏ-1 | 24ºÐ | ||||
Á¦ 12 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSFET 5 : Ư¼º ÀúÇÏ-2 | 31ºÐ | ||||
Á¦ 13 ° |
[¼ÒÀÚ] MOSCAP : Ideal / Real | 28ºÐ | ||||
Á¦ 14 ° |
[¼ÒÀÚ] Memory : Flash memory / RAM | 38ºÐ | ||||
Á¦ 15 ° |
[°øÁ¤] 8´ë °øÁ¤ °³¿ä ¹× Oxidation & CMP | 24ºÐ | ||||
Á¦ 16 ° |
[°øÁ¤] Photolithography °øÁ¤ÀÇ °³¿ä / Photo Mask / ¼ø¼ ¹× ¼¼ºÎ ³»¿ë | 31ºÐ | ||||
Á¦ 17 ° |
[°øÁ¤] Doping & Plasma : Doping °øÁ¤ / Plasma | 25ºÐ | ||||
Á¦ 18 ° |
[°øÁ¤] Etching °øÁ¤°³¿ä, ºÐ·ù, Etch stop | 25ºÐ | ||||
Á¦ 19 ° |
[°øÁ¤] Thin film Deposition °øÁ¤ °³¿ä, ºÐ·ù | 30ºÐ |
¼ö°Èıâ
- ¼ö°·á
- 79,000¿ø
