[Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)
  • Çö±Ýȯ±Þ¾È³»
  • Çö±Ýȯ±Þ¾È³»
  • »ï¼º
Á¢±â
Hackers Family site Çì·²µå ¼±Á¤ 2018 ´ëÇлý ¼±È£ ºê·£µå ´ë»ó 'Ãë¾÷ °­ÀÇ' ºÎ¹® 1À§ ȸ¿ø°¡ÀÔ¸¸ Çصµ
¿­±â Æйи®»çÀÌÆ®

[Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)

°­ÀÇÀ̹ÌÁö

[Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)

  • ÀÌ°ø°è
  • ÀÌ°ø°è
  • ±èµ¿¹Î
    • ¼±»ý´Ô±èµ¿¹Î
    • ¼ö°­±â°£30ÀÏ
    • °­ÀǼö30°­
    • ±³Àç¸í
      ±³¾È (¸¶ÀÌÆäÀÌÁö ³» PDFÆÄÀÏ Á¦°ø)
    [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)
    ¼ö°­·á 137,000¿ø 99,000¿ø Æ÷ÀÎÆ®990Á¡

    ½±°í ºü¸£°Ô ÀÌÇØÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹«&¸éÁ¢ °­ÀÇ! [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)

    ±èµ¿¹Î ¼±»ý´Ô

    ¾à·Â (Çö) ÇØÄ¿½ºÀâ ÀÌ°ø°è ´ëÇ¥ ¼±»ý´Ô
    (Çö) ÇØÄ¿½º°ø±â¾÷ NCS ÀÚ¿ø°ü¸® ¼±»ý´Ô
    (Àü) »ï¼º ÄÚ´× ¹× ¿Ü±¹°è ±â¾÷ Á¦Ç° »ý»ê ¡¤ Ç°Áú°ü¸® ±Ù¹«
    6-sigma, TRIZ »ç³» °­»ç
    ÀÎõ´ëÇб³/°æÈñ´ëÇб³ NCS °­ÀÇ

    ÇØÄ¿½ºÀâ ´ëÇ¥
    ÀÌ°ø°è Àü¹®°¡
    ¹ÝµµÃ¼°¡ ½¬¿öÁø´Ù! Á¤´äÀÌ º¸ÀÌ´Â ¹ÝµµÃ¼

    ¼ö°­´ë»ó

    • ´ë±â¾÷ Àü°ø ½ÃÇèÀ» ÁغñÇϱâ À§ÇØ Àü·«ÀûÀ¸·Î ÁغñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
    • ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã ´ë±â¾÷ ÀԻ縦 ¸ñÇ¥·Î ÇϽô ºÐ
    • ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü¹ÝÀûÀÎ °³³äºÎÅÍ ½ÉÈ­±îÁö Çѹø¿¡ ¹è¿ì°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
    • ¹ÝµµÃ¼ ¿ø¸®¸¦ ÅëÇØ ¾Ï±â°¡ ¾Æ´Ñ ºü¸£°í ½±°Ô Àü°ø Áö½ÄÀ» ½ÀµæÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
    • Àü°ø Áö½ÄÀ» ¸éÁ¢¿¡ ÀÚ¿¬½º·´°Ô È°¿ëÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» ¾Ë°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ
    • Àü·«Àû ±â¼ú¸éÁ¢ ½ºÅ³·Î ¿Ïº® ´ëºñÇÏ°í ½ÍÀ¸½Å ºÐ

    °­ÀǸñÂ÷

    °­ÀǸí
    [ÀÔ¹®] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - »ê¾÷/°øÁ¤±âÃÊ
    ¸ñÂ÷
    ³»¿ë ½Ã°£
    Á¦ 1 °­
    ¹ÝµµÃ¼ ¼Ò°³ - ±âº» ¿ë¾î ¹× °³³ä / ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¤ÀÇ 20ºÐ
    Á¦ 2 °­
    ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ±¸Á¶¿Í ¹ÝµµÃ¼ ºÐ·ù 24ºÐ
    Á¦ 3 °­
    ¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤°ú 3´ë ÁÖ¿ä °øÁ¤ÀÇ °³¿ä 24ºÐ
    °­ÀǸí
    [±âº»] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º - ¼ÒÀÚ/°øÁ¤
    ¸ñÂ÷
    ³»¿ë ½Ã°£
    Á¦ 1 °­
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Energy band¿Í Fermi level 43ºÐ
    Á¦ 2 °­
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Extrinsic semiconductor 29ºÐ
    Á¦ 3 °­
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] Current in semiconductor Á¾·ù, º¯È­, ±¸Çϱâ 24ºÐ
    Á¦ 4 °­
    [ÇÙ½ÉÀÌ·Ð] ½ÉÈ­ ÀÌ·Ð 23ºÐ
    Á¦ 5 °­
    [¼ÒÀÚ] p-n junction 1 : Depletion layer / Doping concentration¿¡ µû¸¥ º¯È­ 23ºÐ
    Á¦ 6 °­
    [¼ÒÀÚ] p-n junction 2 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È­ 22ºÐ
    Á¦ 7 °­
    [¼ÒÀÚ] p-n junction 3 : ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È­ (Àüü±¸°£) 28ºÐ
    Á¦ 8 °­
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 1 : ±âº» ±¸Á¶ 32ºÐ
    Á¦ 9 °­
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 2 : µ¿ÀÛ¿ø¸® 26ºÐ
    Á¦ 10 °­
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 3 : ÃøÁ¤ 29ºÐ
    Á¦ 11 °­
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 4 : Ư¼º ÀúÇÏ-1 24ºÐ
    Á¦ 12 °­
    [¼ÒÀÚ] MOSFET 5 : Ư¼º ÀúÇÏ-2 31ºÐ
    Á¦ 13 °­
    [¼ÒÀÚ] MOSCAP : Ideal / Real 28ºÐ
    Á¦ 14 °­
    [¼ÒÀÚ] Memory : Flash memory / RAM 38ºÐ
    Á¦ 15 °­
    [°øÁ¤] 8´ë °øÁ¤ °³¿ä ¹× Oxidation & CMP 24ºÐ
    Á¦ 16 °­
    [°øÁ¤] Photolithography °øÁ¤ÀÇ °³¿ä / Photo Mask / ¼ø¼­ ¹× ¼¼ºÎ ³»¿ë 31ºÐ
    Á¦ 17 °­
    [°øÁ¤] Doping & Plasma : Doping °øÁ¤ / Plasma 25ºÐ
    Á¦ 18 °­
    [°øÁ¤] Etching °øÁ¤°³¿ä, ºÐ·ù, Etch stop 25ºÐ
    Á¦ 19 °­
    [°øÁ¤] Thin film Deposition °øÁ¤ °³¿ä, ºÐ·ù 30ºÐ
    °­ÀǸí
    [¸éÁ¢] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º
    ¸ñÂ÷
    ³»¿ë ½Ã°£
    Á¦ 1 °­
    Energy band¿Í ¿ÜºÎ Àü¾Ð¿¡ µû¸¥ p-n junctionÀÇ º¯È­ 36ºÐ
    Á¦ 2 °­
    MOSFET (1) 29ºÐ
    Á¦ 3 °­
    MOSFET (2) 25ºÐ
    Á¦ 4 °­
    ¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤ : °øÁ¤ È帧¿¡ µû¸¥ MOSFET Á¦ÀÛ °úÁ¤ 26ºÐ
    Á¦ 5 °­
    Photolithography °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë 26ºÐ
    Á¦ 6 °­
    Deposition °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë 31ºÐ
    Á¦ 7 °­
    Etching °øÁ¤ ¼¼ºÎ ³»¿ë / Plasma 31ºÐ
    Á¦ 8 °­
    Memory ¹ÝµµÃ¼ : NAND Flash / Ram 32ºÐ

    ¼ö°­Èıâ

    Áö±Ý º¸°í°è½Å °­ÀÇ´Â
    [Á¾ÇÕ] ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ¿Ï¼º (ÀÔ¹®+±âº»+¸éÁ¢)
    ÀÔ´Ï´Ù. °ü½É°­ÀÇ Àå¹Ù±¸´Ï
    ¼ö°­·á
    99,000¿ø
    Æ÷ÀÎÆ®Áö±Þ990Á¡
    ¼ö°­½Åû